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我是《UVQ号》签约作者:雨舞霓裳~希望我的文字能对你带来帮助。
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  • 无残留场效应晶体管引领超越硅的新技术

    一场技术革命即将到来,它将改变我们使用的设备。在李英熙教授的领导下,来自韩国基础科学研究所(IBS)集成纳米结构物理中心的一组研究人员公布了一项新发现,该发现可以大大改善场效应晶体管(FET)的制造。他们的研究发表在《自然纳米技术》

    2025年07月24日
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